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高溫環(huán)境下適用的4個(gè)類別的高溫振動(dòng)傳感器

發(fā)布時(shí)間:2024-11-20點(diǎn)擊次數(shù):267

在高溫環(huán)境下,選擇合適的振動(dòng)傳感器需要考慮多個(gè)因素,包括傳感器的工作溫度范圍、材料的耐高溫性能、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的優(yōu)化以及降低熱噪聲的措施。根據(jù)提供的信息,以下是一些適合高溫環(huán)境的振動(dòng)傳感器類型及其特點(diǎn):


?新型高溫振動(dòng)傳感器?:一款專門(mén)為高溫測(cè)試環(huán)境設(shè)計(jì)的產(chǎn)品,工作溫度可達(dá)500C,采用特殊耐高溫壓電材料和金屬殼體,具有超低靈敏度溫度系數(shù)和低溫漂特性,以及方便的三角結(jié)構(gòu)和差分結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)?。


?MEMS陀螺儀?:MEMS陀螺儀因其小巧、低功耗和低成本的特點(diǎn),在高溫環(huán)境下具有一定的應(yīng)用潛力。然而,目前尚不能滿足在175C高溫條件下運(yùn)行的需求?。


?多晶硅高溫壓力傳感器?:這類傳感器一般可用于200C以內(nèi)的環(huán)境。它們采用多晶硅作為材料,通過(guò)特定的制備工藝實(shí)現(xiàn)電隔離,但存在熱應(yīng)力和高溫漏電流增大的問(wèn)題?。


?SOI高溫壓力傳感器?:SOI高溫壓力傳感器具有耐高溫特性,通過(guò)埋氧層隔絕壓敏電阻和硅襯底,避免了P-N結(jié)漏電問(wèn)題。與多晶硅高溫壓力傳感器相比,SOI襯底的漏電流更低,更適合研制高溫傳感器,但存在敏感壓阻層與襯底之間的鍵合方式、熱應(yīng)力和高溫漏電流增大等限制?。

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